Skip to main content

Radiation tolerance of advanced cmos and bipolar technologies

Date: 30/11/2010
Author: Put, S.
Subject: Radiation tolerance of advanced cmos and bipolar technologies
University: KULeuven
Promotor: Leroux, P.
SCK CEN Mentor: Claeys, C.

(Only available in Dutch)

Er zijn verschillende omgevingen waar elektronica bestand moet zijn tegen straling, b.v. de ruimte, in bestaande nucleaire installaties op aarde, in experimentele opstellingen voor het onderzoek naar deeltjesfysica, in de toekomstige MYRRHA reactor en de prototype fusie reactor ITER. Sinds lange tijd is er een algemene evolutie om voor deze omgevingen elektronische COTS (commercial-off-the-shelf) componenten te gebruiken of om stralingsharde applicatie-specifieke geïntegreerde schakelingen in een commerciële transistor technologie te ontwerpen. Dit vervangt de specifieke ontwerpen in een dure stralingsharde technologie. Dit werk introduceert een methodologie waarmee zo een stralingsharde schakeling kan ontworpen worden. Eén van de eerste stappen in deze methodologie is de kwalitatieve beschrijving van de stralingsgeïnduceerde degradatie van geavanceerde transistor technologieën. Deze stap wordt verder uitgewerkt in dit werk. De responsie op ioniserende straling van drie CMOS technologieën (een volledig-ontruimde silicium-op-isolator (SOI) technologie, een SOI en bulk finFET technologie) en van één bipolaire technologie (een 0.13 µm SiGe:C HBT technologie) wordt in meer detail besproken. Vanuit deze resultaten zijn richtlijnen opgesteld voor de ontwerper van stralingsharde schakelingen. Dit omvat zowel richtlijnen voor parameters die door de ontwerper worden gecontroleerd als richtlijnen gerelateerd aan de keuze van de juiste commerciële technologie.

Share this page